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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS31N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  539-4990
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB072N15N3 G, 100 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB072N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8340
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB31N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3947
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DTRLP, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS31N20DTRLP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4091
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3932
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3972
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4384
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4772
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFSL4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4120
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N04S4-H2, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP100N04S4-H2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6864
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3948
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2405, 56 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR2405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1835
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB065N15N3 G, 130 A, Vds=150 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB065N15N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4283
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2405PBF, 56 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR2405PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2222
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4277
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N04S4-H2, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB100N04S4-H2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8652
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB31N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5793
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2405, 56 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR2405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8633
  
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