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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPW90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7434
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R450E6, 9.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R450E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8605
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFR18N15DPBF, 18 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR18N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0923
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7853PBF, 8.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7853PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6888
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPD90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9180
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPA90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5605
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7047
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFR18N15DPBF, 18 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR18N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3828
  
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