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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP2160UFDB-7, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 DFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  DMP2160UFDB-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-8499
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDME430NT, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDME430NT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8256
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMG2301U-7, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  DMG2301U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2526
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16340Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD16340Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4732
  
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• ROHM P沟道 Si MOSFET RZF020P01TL, 2 A, Vds=12 V, 3引脚 TUMT封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  RZF020P01TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7810
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI1471DH-T1-GE3, 2.8 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  SI1471DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3226
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2160U-7, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  DMP2160U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4247
  
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• ROHM P沟道 Si MOSFET RZR020P01TL, 2 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  RZR020P01TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7826
  
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