产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPP04N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3197
搜索
Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD65R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5591
搜索
Infineon Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7321D2TRPBF, 4.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7321D2TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8888
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105TRPBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFL4105TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3994
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB50R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5158
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP65R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7608
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Infineon 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7316PBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7316PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-616
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFL4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9878
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSF030NE2LQ, 75 A, Vds=25 V, 2引脚 WDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSF030NE2LQ
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9073
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB45N04S4L-08, 45 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB45N04S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9333
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPA04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPA04N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2150
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Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R190C7, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPW65R190C7
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7630
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSF134N10NJ3 G, 40 A, Vds=100 V, 2引脚 WDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSF134N10NJ3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2943
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R600C6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPA65R600C6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7156
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD200N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8369
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPD04N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3172
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB200N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5443
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP200N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5611
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7316TRPBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7316TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8872
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPW50R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7101
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Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R190C7, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP65R190C7
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7591
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF7316QTR, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF7316QTR
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5198
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Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD80R1K4CE, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD80R1K4CE
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7159
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC190N15NS3 G, 50 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC190N15NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5317
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPA65R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
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