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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5474
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD600N25N3 G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD600N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5478
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2908, 30 A，39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR2908
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9221
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB600N25N3G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB600N25N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9204
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPA65R660CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8633
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613P, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSP613P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2236
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC600N25NS3 G, 25 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC600N25NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4303
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB3806, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFB3806
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1807
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8344
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPD18P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8491
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R299CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3043
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7313TRPBF, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7313TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8869
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFSL3806PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4117
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPI60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI60R299CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6704
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP04N50C3XKSA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPP04N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8788
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPW65R660CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7655
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7313PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7313PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0250
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB3806PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6926
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU3806PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7143
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N50C3ATMA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPD04N50C3ATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3178
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC320N20NS3 G, 36 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC320N20NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5311
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5642
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S4-15, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPG20N06S4-15
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9241
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3806TRPBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3806TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4054
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ058N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ058N03LSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5215
  
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