产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-016
搜索
NXP P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
PMF170XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8120
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML0040TRPBF, 3.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9347
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML0040TRPBF, 3.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4051
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTHD4508NT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTHD4508NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0591
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML0030TRPBF, 5.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML0030TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4042
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML0030TRPBF, 5.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML0030TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9344
搜索
Nexperia P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
PMF170XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2757
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402GTRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML2402GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3316
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4731
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