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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-6, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 H2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STH310N10F7-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2006
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF2907ZLPBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2907ZLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8816
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4768PBF, 93 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4768PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7020
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF1324S-7P, 429 A, Vds=24 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1324S-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9224
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP2907Z, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP2907Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7467
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-2, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 H2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STH310N10F7-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3707
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB120P04P4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9092
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK62N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6255
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7734-7PPBF, 197 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS7734-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3365
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK62N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2417
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905PBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF4905PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4772
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP90N20DPBF, 94 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP90N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  639-1857
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF4905, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF4905
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4246
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4868PBF, 70 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4868PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8947
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK62N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5172
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI120P04P4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4672
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP120P04P4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6883
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7734TRL7PP, 197 A, Vds=75 V, 6引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS7734TRL7PP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4218
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7734PBF, 183 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB7734PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3319
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP90N20DPBF, 94 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP90N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3907
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4868PBF, 70 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4868PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4733
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH88N30P, 88 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH88N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0732
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH88N30P, 88 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH88N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-559
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP310N10F7, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP310N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2008
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905LPBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF4905LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3662
  
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