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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N06S4-09, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD50N06S4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9175
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD088N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD088N06N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5081
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6646TR1PBF, 12 A, Vds=80 V, 5引脚 DirectFET MN封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF6646TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6712
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB45N06S409, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB45N06S409
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9443
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP45N06S4-09, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP45N06S4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6892
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB45N06S4-09, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB45N06S4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8683
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S3-06, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S3-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3055
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI45N06S4-09, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI45N06S4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4679
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7185TRPBF, 123 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFH7185TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4186
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3504, 87 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3504
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1793
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP093N06N3 G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP093N06N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5484
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB090N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB090N06N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9529
  
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