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• STMicroelectronics STripFET 系列 P沟道 Si MOSFET STP80PF55, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP80PF55
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7901
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFX64N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1506
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX80N60P3, 80 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFX80N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4502
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4110GPBF, 72 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220ABFP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4110GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3962
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805PBF, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF3805PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5756
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW13NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1573
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFK64N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1427
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N60Q3, 42 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFR64N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1455
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805L, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3805L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8595
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 P沟道 Si MOSFET STP80PF55, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP80PF55
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1080
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW55NM60ND, 51 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW55NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1993
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPG50PBF, 6.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFPG50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1095
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW13NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5248
  
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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK38N80Q2, 38 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFK38N80Q2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5392
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3805
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7433
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805L, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3805L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7442
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N04-1m7L-GE3, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SQM120N04-1m7L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9516
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFK80N60P3, 80 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFK80N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4405
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P4-03, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB180P04P4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8674
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFK80N60P3, 80 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFK80N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0990
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3710PBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP3710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1584
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK90Z, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW15NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5257
  
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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK48N50Q, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFK48N50Q
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5398
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805S, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3805S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7445
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW55NM60ND, 51 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW55NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0336
  
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