产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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MagnaChip 双 Si N沟道 MOSFET MDS5652URH, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
MDS5652URH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4990
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3402L-7, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMG3402L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1026
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86104, 39 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS86104
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4857
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NK40ZT4, 3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD5NK40ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9581
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NK40Z-1, 3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD5NK40Z-1
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9910
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86104, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS86104
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4724
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NK40Z, 3 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD5NK40Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2082
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQ4946AEY-T1_GE3, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SQ4946AEY-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9471
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3065LW-7, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMN3065LW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1091
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI3438DV-T1-GE3, 7.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI3438DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3151
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NXP N沟道 Si MOSFET PSMN9R0-25MLC, 55 A, Vds=25 V, 8引脚 LFPAK33封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN9R0-25MLC
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6981
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