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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI3205PBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI3205PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9608
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405PBF, 169 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1405PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1099
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4744
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4889
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZS-7PPBF, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2907ZS-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8844
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP064N, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP064N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1816
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R070C6, 53 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPW60R070C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3068
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP200NF04
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0064
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R8-100BS, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN3R8-100BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2956
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S2L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6772
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405STRLPBF, 131 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1405STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4939
  
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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK27N80Q, 27 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFK27N80Q
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0874
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP064NPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP064NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0008
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405SPBF, 131 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1405SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  628-1744
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW32N50C3, 32 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPW32N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3226
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R8-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN1R8-30PL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2924
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 模块 IPP80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S2L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6984
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP064N, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP064N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8630
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R8-100BS, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN3R8-100BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8124
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804S-7PPBF, 320 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2804S-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8800
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2907ZS-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7427
  
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• International Rectifier N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFSL4310, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFSL4310
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  737-7483
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4310, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS4310
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7486
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405, 169 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1768
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2907ZS-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8582
  
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