产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB80NF10T4, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB80NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5080
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK39J60W5,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5135
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB100N10S3-05
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5649
搜索
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI100N10S3-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4641
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP80P04P4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7025
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK39J60W5,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2363
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10FP, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP80NF10FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5311
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7440PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9188
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPD90P04P4L-04, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD90P04P4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5230
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPI80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI80P04P4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6805
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N04S4-01, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP120N04S4-01
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6870
搜索
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP100N10S3-05
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3037
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK39J60W5,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6214
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB80P04P4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4559
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N04S4-01, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI120N04S4-01
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4653
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10FP, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP80NF10FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6572
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP80NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6658
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP80NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7888
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA70N15, 70 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQA70N15
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4966
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7440TRLPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFS7440TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9153
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