产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2310CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TSM2310CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6052
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN3A14FTA, 3.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
ZXMN3A14FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2579
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMV22EN, 5.2 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PMV22EN
品牌:
NXP
库存编号:
798-2794
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN5618P, 1.25 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDN5618P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0463
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDMA1023PZ, 3.7 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMA1023PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6213
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN6140L-7, 2.9 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMN6140L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1120
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4620DY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4620DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3237
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF770N15A, 10 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDPF770N15A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8625
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC16DN25NS3 G, 10.9 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC16DN25NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4454
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