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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A60W,S5VX(J, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型输入电容值@Vds 700 pF @ 300 V,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W,S5VX(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4999
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK10E60W,S1VX(S, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型输入电容值@Vds 700 pF @ 300 V,
• 制造商零件编号：
  TK10E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5006
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10E60W,S1VX(S, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型输入电容值@Vds 700 pF @ 300 V,
• 制造商零件编号：
  TK10E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6101
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10A60W,S5VX(J, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型输入电容值@Vds 700 pF @ 300 V,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W,S5VX(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2869
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10P60W,RVQ(S, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型输入电容值@Vds 700 pF @ 300 V,
• 制造商零件编号：
  TK10P60W,RVQ(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2640
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10E60W,S1VX(S, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型输入电容值@Vds 700 pF @ 300 V,
• 制造商零件编号：
  TK10E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2872
  
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