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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 4.7 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7503TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-290
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRL530PBF, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 4.7 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4866
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFME2P823ZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 4.7 ns,
• 制造商零件编号：
  FDFME2P823ZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9490
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS192P, 190 mA, Vds=250 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 4.7 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS192P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2848
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17507Q5A, 65 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 4.7 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD17507Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4855
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4212H-117P, 11 A, Vds=100 V, 5引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 4.7 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI4212H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3220
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2A03E6TA, 4.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 4.7 ns,
• 制造商零件编号：
  ZXMN2A03E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5354
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP316P, 680 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 4.7 ns,
• 制造商零件编号：
  BSP316P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8215
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDME1023PZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 4.7 ns,
• 制造商零件编号：
  FDME1023PZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9572
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC86244, 2.3 A, Vds=150 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 4.7 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC86244
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8026
  
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