产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7422D2PBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRF7422D2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2452
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4020H-117P, 9.1 A, Vds=200 V, 5引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRFI4020H-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
700-3201
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865NLT4G, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
NTD5865NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2894
搜索
Infineon 双 P沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7304Q, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
AUIRF7304Q
品牌:
International Rectifier
库存编号:
760-4264
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5865NLT4G, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
NVD5865NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1080
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531KCS, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
CSD19531KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4912
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8259TRPBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRLR8259TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3391
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8327L, 14 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
FDMC8327L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8203
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRLU8259PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7291
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5204TR2PBF, 22 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRFH5204TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7265
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Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7304TRPBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRF7304TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8850
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865NLT4G, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
NTD5865NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5086
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLR8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 D-PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRLR8259PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7232
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 MCH6337-TL-H, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 MCPH封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
MCH6337-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-9487
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMG9926UDM-7, 4.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-26封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
DMG9926UDM-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-2924
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7815TRPBF, 5.1 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRF7815TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3887
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4315PBF, 2.6 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRFL4315PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4007
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4315TRPBF, 2.6 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRFL4315TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5822
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Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7304PBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRF7304PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9349
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7815PBF, 5.1 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
IRF7815PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9230
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Toshiba TPC 系列 Si N沟道 MOSFET TPCA8052-H, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
TPCA8052-H
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5134
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ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET ECH8675-TL-H, 4.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 8.4 ns,
制造商零件编号:
ECH8675-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0872
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