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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET HUF76419S3ST_F085, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 5.9 ns,
• 制造商零件编号：
  HUF76419S3ST_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9312
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP321P, 980 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 5.9 ns,
• 制造商零件编号：
  BSP321P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2361
  
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• Infineon 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFI4024H-117P, 11 A, Vds=55 V, 5引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 5.9 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI4024H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3214
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRL6372PBF, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 5.9 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL6372PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4416
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS8342TR2PBF, 8.8 A, Vds=30 V, 7引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 5.9 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFHS8342TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7335
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP6180SK3-13, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 5.9 ns,
• 制造商零件编号：
  DMP6180SK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  790-4625
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRL6372PBF, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 5.9 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL6372PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8668
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8622, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型接通延迟时间 5.9 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC8622
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9563
  
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