产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML0040TRPBF, 3.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9347
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET CPH3457-TL-H, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 CPH封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
CPH3457-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5259
搜索
ON Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET MCH6662-TL-H, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 MCPH封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
MCH6662-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0976
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET SCH1435-TL-H, 3 A, Vds=30 V, 6引脚 SCH封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
SCH1435-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1128
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3020LSS-13, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
DMP3020LSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-4028
查看其他仓库
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4010LK3-13, 39 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
DMN4010LK3-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3193
查看其他仓库
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSD314SPEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
BSD314SPEH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8481
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML0040TRPBF, 3.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4051
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149 H6906, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
BSP149 H6906
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7462
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP372N H6327, 1.8 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
BSP372N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7754
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
BSP149
品牌:
Infineon
库存编号:
354-5720
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7351PBF, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
IRF7351PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9237
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMG1012UW-7, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
DMG1012UW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4073
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG1013T-7, 460 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
DMG1013T-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4076
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 CPH3351-TL-H, 1.8 A, Vds=60 V, 3引脚 CPH封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
CPH3351-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5243
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET MCH3476-TL-H, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 MCHP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
MCH3476-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0939
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMG1023UV-7, 680 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
DMG1023UV-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2517
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG1012T-7, 630 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
DMG1012T-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4064
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL014NTRPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
IRLL014NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3307
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7601PBF, 5.7 A, Vds=20 V, 8引脚 微型封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
IRF7601PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5053
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7351PBF, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
IRF7351PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4020
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7351TRPBF, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
IRF7351TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4954
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL014NPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
IRLL014NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4738
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL014NPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
IRLL014NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-000
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DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN2500UFB4-7, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN1006封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 5.1 ns,
制造商零件编号:
DMN2500UFB4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5125
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