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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI3464DV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 5 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3464DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3167
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1302DL-T1-E3, 600 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 5 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1302DL-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  655-6795
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SQJ962EP-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 5 ns,
• 制造商零件编号：
  SQJ962EP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9503
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI1480DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 5 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1480DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3085
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD15N06-42L_GE3, 15 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 5 ns,
• 制造商零件编号：
  SQD15N06-42L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9478
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQS460EN-T1_GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 5 ns,
• 制造商零件编号：
  SQS460EN-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9522
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET TN2404K-T1-GE3, 300 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 5 ns,
• 制造商零件编号：
  TN2404K-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7647
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 SQ1431EH-T1-GE3, 1.8 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 5 ns,
• 制造商零件编号：
  SQ1431EH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3898
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET TN2404K-T1-GE3, 300 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 5 ns,
• 制造商零件编号：
  TN2404K-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4347
  
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