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• Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282Z E3180A, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 PG-TO-263-7-1封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  BTS282Z E3180A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7112
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW60R045CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8397
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4H1ATMA2, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB180N06S4H1ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5182
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4-H1, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB180N06S4-H1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5189
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30A H, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  BUZ30A H
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2214
  
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• Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R019C7, 75 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW65R019C7
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7624
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30A, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  BUZ30A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  298-342
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPI120N06S4-H1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI120N06S4-H1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4663
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P4-04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP120P04P4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6889
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90N06S4-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP90N06S4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7034
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU01N60C3, 800mA, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  SPU01N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3210
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90N06S404ATMA2, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB90N06S404ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9042
  
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• Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPZ65R019C7, 75 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPZ65R019C7
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7661
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD100N06S4-03, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD100N06S4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7181
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30AH3045A, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  BUZ30AH3045A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9068
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90N06S4-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB90N06S4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4568
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N06S4-H1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP120N06S4-H1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6886
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB037N06N3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB037N06N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7251
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA028N08N3 G, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA028N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7315
  
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