产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZS-7PPBF, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF2907ZS-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8844
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9321PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF9321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9246
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5301TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFH5301TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9280
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Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
BSC026N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8154
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4010, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
AUIRFS4010
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9180
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD042P03L3GATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPD042P03L3GATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9051
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPB120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9092
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N06S4L-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPP90N06S4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7038
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB90N06S4L04ATMA2, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPB90N06S4L04ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9046
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPI120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4672
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPP120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6883
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSB028N06NN3 G, 90 A, Vds=60 V, 7引脚 WDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
BSB028N06NN3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4306
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6727MTR1PBF, 32 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF6727MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6780
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4010PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFS4010PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7080
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
AUIRF2907ZS-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7427
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4010PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFSL4010PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4111
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6218STRLPBF, 27 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF6218STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2856
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B215, 164 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRL40B215
品牌:
Infineon
库存编号:
896-7355
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
AUIRF2907ZS-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8582
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9321TRPBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF9321TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4982
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Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IPD042P03L3 G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPD042P03L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5579
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7730PBF, 246 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFB7730PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3315
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7730PBF, 246 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFS7730PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3359
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