产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Magnatec Si N沟道 MOSFET IRF140, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF140
品牌:
Magnatec
库存编号:
263-6910
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
STP40NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7642
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZS-7PPBF, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF2907ZS-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8844
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD2NK90ZT4, 2.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
STD2NK90ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5100
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SI9933CDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3395
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9321PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF9321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9246
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5301TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFH5301TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9280
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRLH5034TR2PBF, 29 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRLH5034TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
725-9331
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Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
BSC026N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8154
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4010, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
AUIRFS4010
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9180
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Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SIHP25N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9175
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SQJ850EP-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9500
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Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPH7R506NH, 55 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
TPH7R506NH
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5147
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD042P03L3GATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPD042P03L3GATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9051
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPB120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9092
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
TK30A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6179
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N06S4L-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPP90N06S4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7038
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86255, 45 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
FDMS86255
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8473
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMF60R290PTH, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
MMF60R290PTH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-5034
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Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C3M0065090D, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
C3M0065090D
品牌:
Wolfspeed
库存编号:
915-8836
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SIHG25N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9169
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG22N50D-GE3, 22 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SiHG22N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9197
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30E06N1, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
TK30E06N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5083
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80BS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
PSMN8R7-80BS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3038
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP14N60P3, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IXFP14N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4420
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