产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDB2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
FDB2710
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8961
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK39A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5122
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5138
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5419
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHG20N50C-E3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
SIHG20N50C-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1266
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2100U-7, 3.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
DMP2100U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2627
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6107
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK39J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6211
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2372
查看其他仓库
Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK4013,S5Q(J, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 SC-67封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
2SK4013,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4823
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6218
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK39J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2369
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2647
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCD7N60TM, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
FCD7N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4131
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
SIGH20N50C-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
785-8641
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STMicroelectronics N沟道 Si MOSFET VNP14NV04-E, 12 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
VNP14NV04-E
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
809-1332
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF2710T, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
FDPF2710T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8590
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Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK4013,S5Q(J, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 SC-67封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
2SK4013,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
890-2698
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK9J90E, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK9J90E
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5153
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10J80E, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK10J80E
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5159
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK39J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5126
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK39A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6202
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
FDP2710
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8546
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IXYS CoolMOS 系列 Si N沟道 MOSFET MKE38RK600DFELB, 50 A, Vds=600 V, 9引脚 SMPD封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
MKE38RK600DFELB
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2550
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型接通延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
TK39A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2366
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