产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
FDP51N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4843
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTA4001NT1G, 240 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
NTA4001NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0494
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP270N8F7, 180 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
STP270N8F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7829
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTA7002NT1G, 150 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-75封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
NTA7002NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0501
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET 晶体管 MTB30P06VT4G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
MTB30P06VT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0970
搜索
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP270N8F7, 180 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
STP270N8F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8925
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW11NK100Z, 8.3 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
STW11NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5318
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP65N06, 65 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
FDP65N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3567
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW11NK100Z, 8.3 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
STW11NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6588
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB048N06L G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
IPB048N06L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5430
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
FDPF51N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3620
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVB5860NLT4G, 220 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
NVB5860NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4153
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N06S2L-05, 100 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
IPB100N06S2L-05
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5091
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH104N60F, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
FCH104N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1280
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC030P03NS3 G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 98 ns,
制造商零件编号:
BSC030P03NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4309
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