产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
FDP3632
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4828
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP18NM80, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
STP18NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0584
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW18NM80, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
STW18NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0626
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R160C6, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
IPP60R160C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7337
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R160C6, 24 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
IPB60R160C6
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4429
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Nexperia N沟道 Si MOSFET BUK9535-55A,127, 34 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
BUK9535-55A,127
品牌:
NXP
库存编号:
103-7544
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7809AVPBF, 13.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
IRF7809AVPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1112
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
FDB3632
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0334
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3632_F085, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
FDB3632_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7988
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMC612PZ, 14 A, Vds=20 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
FDMC612PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8206
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW60R160C6, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
IPW60R160C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7172
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH88N30P, 88 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
IXFH88N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0732
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH88N30P, 88 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
IXFH88N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-559
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB18NM80, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
STB18NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0392
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STFW40N60M2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
STFW40N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5651
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NXP N沟道 Si MOSFET BUK9535-55A,127, 34 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
BUK9535-55A,127
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-2892
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R160C6, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
IPA60R160C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2983
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STFI40N60M2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAKFP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
STFI40N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7123
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Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD13383F4T, 2.9 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 96 ns,
制造商零件编号:
CSD13383F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9955
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