产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZS, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7414
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N10N3G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IPB042N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5237
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06P G, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
SPB08P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2201
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
SPD08P06P
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3247
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZL, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7405
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2903Z, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
AUIRF2903Z
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1778
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2903ZS, 235 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
AUIRF2903ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1780
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405ZPBF, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IRF1405ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5734
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2903ZPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IRF2903ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5759
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZS, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4082
查看其他仓库
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P G, 8.83 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
SPD08P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3188
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP08P06P H, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
SPP08P06P H
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8279
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB039N10N3G, 160 A, Vds=100 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IPB039N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5299
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2903ZSPBF, 235 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IRF2903ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6825
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP045N10N3 G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IPP045N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8378
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2-H5, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IPP80N06S2-H5
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6980
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