产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFP22N60KPBF, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IRFP22N60KPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4806
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZS, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7414
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS039N08B, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
FDMS039N08B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5908
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP8NK80ZFP, 6.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
STP8NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0190
搜索
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS84AK, 180 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
BSS84AK
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0908
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFQ28N60P3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IXFQ28N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4451
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N10N3G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IPB042N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5237
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2047UCB4-7, 4.1 A, Vds=20 V, 4引脚 U-WLB1010封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
DMP2047UCB4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3219
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8444_F085, 145 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
FDD8444_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8111
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06P G, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
SPB08P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2201
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
SPD08P06P
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3247
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZL, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7405
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8460, 167 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
FDMS8460
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4844
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2903Z, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
AUIRF2903Z
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1778
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2903ZS, 235 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
AUIRF2903ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1780
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8444, 145 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
FDD8444
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9100
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Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8403170L, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
SK8403170L
品牌:
Panasonic
库存编号:
787-7620
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Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8603170L, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
SK8603170L
品牌:
Panasonic
库存编号:
787-7646
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH28N60P3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IXFH28N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4379
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4164DY-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
SI4164DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3198
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405ZPBF, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IRF1405ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5734
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2903ZPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
IRF2903ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5759
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZS, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4082
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW8NK80Z, 6.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
STW8NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-6264
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS8978, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 48 ns,
制造商零件编号:
FDS8978
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0744
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