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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF640PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF640PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0452
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP240PBF, 20 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP240PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0660
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460APBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP460APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9800
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4925DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9052
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ40PBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFZ40PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0676
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SiHP18N50C-E3, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHP18N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2689
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF640SPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF640SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-2464
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2333DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9222
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFZ44S-GE3, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHFZ44S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0685
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7619DN-T1-GE3, 24 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7619DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1403
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUM90N04-3m3P-E3, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM90N04-3m3P-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7483
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUM65N20-30-E3, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM65N20-30-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7489
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4925DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4202
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ44PBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4862
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUP57N20-33-E3, 57 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SUP57N20-33-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5014
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333CDS-T1-GE3, 5.1 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2333CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3260
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF640L-GE3, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF640L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2635
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUD50N04-8M8P-4GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SUD50N04-8M8P-4GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7470
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUP90N04-3M3P-GE3, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SUP90N04-3M3P-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7509
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2333DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4220
  
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• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4925DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5895
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2333DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5914
  
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