产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
分立半导体
(31)
MOSFET 晶体管
(31)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (6)
Infineon (10)
IXYS (7)
STMicroelectronics (7)
Vishay (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
STP40NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7642
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI740GPBF, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IRFI740GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9692
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8832, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
FDB8832
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8999
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
STP14NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0014
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK32N100Q3, 32 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-264封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IXFK32N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1409
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ22N60P3, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IXFQ22N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4449
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN32N100Q3, 28 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IXFN32N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7574
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP030N06, 120 A,193 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
FDP030N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3541
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB029N06, 120 A,193 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
FDB029N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0799
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IPP80N06S2-05
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8948
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDI030N06, 193 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
FDI030N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8164
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4510GPBF, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IRFI4510GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5084
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50ZFP, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
STP14NK50ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5333
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDD306P, 6.7 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
FDD306P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9065
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRLHS2242TR2PBF, 15 A, Vds=20 V, 6引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IRLHS2242TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4422
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX32N100Q3, 32 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IXFX32N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1487
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDP7060, 75 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
NDP7060
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1249
搜索
Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R190C7, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IPW65R190C7
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7630
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502GTRPBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IRLML2502GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5176
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
STP14NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6695
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW14NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
STW14NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-3108
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502PBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IRLML2502PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6693
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
STD40NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9904
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR32N100Q3, 23 A, Vds=1000 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IXFR32N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1437
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH22N60P3, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 54 ns,
制造商零件编号:
IXFH22N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4366
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号