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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N02FTA, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 7.8 ns,
• 制造商零件编号：
  ZXM61N02FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7611
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PHT6N06T, 5.5 A, Vds=55 V, 4引脚 SC-73封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 7.8 ns,
• 制造商零件编号：
  PHT6N06T
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  509-926
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STP10NM50N, 7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 7.8 ns,
• 制造商零件编号：
  STP10NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9979
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 双 N沟道 Si MOSFET BSD840N, 880 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 7.8 ns,
• 制造商零件编号：
  BSD840N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5493
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N02FTA, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 7.8 ns,
• 制造商零件编号：
  ZXM61N02FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  154-958
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN8601, 2.7 A, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 7.8 ns,
• 制造商零件编号：
  FDN8601
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9651
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF10NM50N, 7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 7.8 ns,
• 制造商零件编号：
  STF10NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2720
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD10NM50N, 7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 7.8 ns,
• 制造商零件编号：
  STD10NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9869
  
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