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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N03S4L-03, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD90N03S4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7479
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFMA2P029Z, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  FDFMA2P029Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6197
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP072N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5480
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP7N52DK3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  STP7N52DK3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9714
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 EMH2801-TL-H, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  EMH2801-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9456
  
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• Toshiba TPH 系列 Si N沟道 MOSFET TPH4R606NH, 85 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  TPH4R606NH
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5140
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ60N50P3, 60 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFQ60N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4461
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD036N04L G, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD036N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9364
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7628, 9 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMA7628
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8168
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDZ1416NZ, 7 A, Vds=24 V, 4引脚 WLCSP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  FDZ1416NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8748
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC011N03LS, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC011N03LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4280
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT3055, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  NDT3055
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  917-5563
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI530NPBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI530NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9620
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2244
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4104PBF, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR4104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8888
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4104, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR4104
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7642
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB060AN08A0, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  FDB060AN08A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8933
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STF7N52DK3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  STF7N52DK3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0480
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT44N50Q3, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-268封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFT44N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1474
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8453LZ, 16 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD8453LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  802-2976
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC067N06LS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC067N06LS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9121
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD068N10N3G, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD068N10N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9156
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518TRPBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4048
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP084N06L3GHKSA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP084N06L3GHKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6858
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMS86263P, 22 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型关断延迟时间 37 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS86263P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8486
  
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