产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 5.2 ns,
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6710S2TR1PBF, 12 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET S1封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 5.2 ns,
制造商零件编号:
IRF6710S2TR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6734
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS8342TR2PBF, 8.8 A, Vds=30 V, 7引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 5.2 ns,
制造商零件编号:
IRFHS8342TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7335
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN5632N_F085, 1.7 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 5.2 ns,
制造商零件编号:
FDN5632N_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8518
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