产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP Si N沟道 MOSFET BSP100, 3.2 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
BSP100
品牌:
NXP
库存编号:
261-606
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF7201PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-565
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Magnatec Si N沟道 MOSFET IRF140, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF140
品牌:
Magnatec
库存编号:
263-6910
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFD9120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0553
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NSPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRLZ34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0614
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD4NK50ZT4, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
STD4NK50ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5153
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5811NLTWG, 17 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
NTTFS5811NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2991
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTTFS5811NLTAG, 17 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
NTTFS5811NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2998
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPD320N20N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5474
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP150N10A_F102, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
FDP150N10A_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5949
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD2N62K3, 2.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
STD2N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9569
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STQ2N62K3-AP, 2.2 A, Vds=620 V TO-92封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
STQ2N62K3-AP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0597
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTJS3157NT1G, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-88封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
NTJS3157NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0624
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMD4820NR2G, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
NTMD4820NR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0677
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SQ3460EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9468
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN8R3-40YS, 70 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
PSMN8R3-40YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3034
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI3460DDV-T1-GE3, 7.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SI3460DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3158
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFD310PBF, 350 mA, Vds=400 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFD310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2708
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
BSZ0902NS
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9159
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Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR315PL6327, 620 mA, Vds=60 V, 3引脚 SC-59封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
BSR315PL6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9395
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Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU50R2K0CEBKMA1, 2.4 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IPU50R2K0CEBKMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7066
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19535KTTT, 200 A, Vds=100 V, 3引脚 DDPAK,TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
CSD19535KTTT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9885
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS5351, 6.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
FDS5351
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4178
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFB4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3932
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705TRPBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRLR2705TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4809
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