产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8734PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRF8734PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6891
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ036NE2LS, 40 A, Vds=25 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
BSZ036NE2LS
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9376
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD30N06S4L-23, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IPD30N06S4L-23
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4593
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3709ZPBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRFR3709ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3941
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726TRPBF, 86 A, Vds=30 V, 3针+焊片 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRLR8726TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5115
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD80P03P4L-07, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IPD80P03P4L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7433
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU3711ZPBF, 93 A, Vds=20 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRFU3711ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7140
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03LS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
BSC080N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8160
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP114N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IPP114N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5496
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4L-07, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IPI80P03P4L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6798
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSF134N10NJ3 G, 40 A, Vds=100 V, 2引脚 WDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
BSF134N10NJ3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2943
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFR18N15DPBF, 18 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRFR18N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0923
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD25N06S4L-30, 25 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IPD25N06S4L-30
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9507
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Infineon Si N沟道 MOSFET IPG20N06S2L-50, 20 A, Vds=55 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IPG20N06S2L-50
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5283
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS090N03LG, 40 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IPS090N03LG
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7053
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3709ZPBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRFR3709ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4334
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3717PBF, 20 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRF3717PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6869
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLR8113PBF, 94 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRLR8113PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7235
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726PBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRLR8726PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7244
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8726PBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRLU8726PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7294
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3709ZPBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRFU3709ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5850
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFR18N15DPBF, 18 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 15 ns,
制造商零件编号:
IRFR18N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3828
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