产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019H-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFI4019H-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
700-3198
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IPB530N15N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8982
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8736TRPBF, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRF8736TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3919
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ130N03MSG, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
BSZ130N03MSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5101
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
BSZ100N03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5142
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019HG-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFI4019HG-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5113
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSS606N H6327, 3.2 A, Vds=60 V, 4引脚 PG-SOT-89封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
BSS606N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7170
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Infineon 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFI4024H-117P, 11 A, Vds=55 V, 5引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFI4024H-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
700-3214
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Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSC750N10ND G, 13 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
BSC750N10ND G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5327
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10N G, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IPD78CN10N G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7242
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8736PBF, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRF8736PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-619
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFR9N20DPBF, 9.4 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFR9N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1184
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFHS9301TRPBF, 6 A, Vds=30 V, 7引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFHS9301TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7310
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA037N08N3 G, 75 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IPA037N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7183
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3 G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IPP530N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2305
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ130N03LS G, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
BSZ130N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2909
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NG, 13 A, Vds=100 V, 3针+焊片 PG-TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IPD78CN10NGBUMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0188
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