产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IRFP044NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1562
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IRF7342PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1764
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI3205PBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IRFI3205PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9608
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFIZ46NPBF, 33 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IRFIZ46NPBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
542-9759
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Infineon LogicFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2505PBF, 104 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IRL2505PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1544
搜索
Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7342D2PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IRF7342D2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
543-1954
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FDS6676AS, 14.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
FDS6676AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0592
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD2NK90ZT4, 2.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
STD2NK90ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5100
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540ZPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IRF540ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6872
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IRFB3607PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6923
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF540Z, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
AUIRF540Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7458
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP064N, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
AUIRFP064N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1816
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR3607, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR3607
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1841
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3636, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
AUIRLR3636
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1908
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8778, 35 A, Vds=25 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
FDD8778
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9112
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB25P06T4G, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
NTB25P06T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0510
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STFI20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAKFP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
STFI20N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2942
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK32E12N1,S1X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
TK32E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5104
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR80N50Q3, 50 A, Vds=500 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IXFR80N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1459
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFX80N50Q3, 80 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IXFX80N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1500
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH20N50P3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IXFH20N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4363
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI3464DV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
SI3464DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3167
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ROHM N沟道 Si MOSFET ZDX130N50, 13 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
ZDX130N50
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7841
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3607TRLPBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
IRFS3607TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4108
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK32A12N1,S4X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 43 ns,
制造商零件编号:
TK32A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2344
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