产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS816NW H6327, 1.4 A, Vds=20 V, 3引脚 PG-SOT-323封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
BSS816NW H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7113
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS169, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
BSS169
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2844
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8714TRPBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRF8714TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3900
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4227PBF, 26 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRFI4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3966
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSD816SNH6327XTSA1, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
BSD816SNH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8485
搜索
Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS205N H6327, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
BSS205N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2374
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8714PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRF8714PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-681
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRL3715ZSPBF, 50 A, Vds=20 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRL3715ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7190
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8729PBF, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRLR8729PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7248
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5215TR2PBF, 27 A, Vds=150 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRFH5215TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4365
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413ZPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRF7413ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0296
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB45N04S4L-08, 45 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IPB45N04S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9333
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRFH3702TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4995
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRLHS6376TRPBF, 7.6 A, Vds=30 V, 6引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRLHS6376TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5092
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML6246TRPBF, 4.1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRLML6246TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7221
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3704ZSPBF, 67 A, Vds=20 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRF3704ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6831
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC340N08NS3 G, 23 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
BSC340N08NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5320
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413ZTRPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IRF7413ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8923
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS169, 90 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
BSS169
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5243
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N04S4L-08, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
IPD50N04S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4603
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ340N08NS3 G, 23 A, Vds=80 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
BSZ340N08NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7352
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC16DN25NS3 G, 10.9 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 11 ns,
制造商零件编号:
BSC16DN25NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4454
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