产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
制造商零件编号:
STW12NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1995
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B212, 254 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
制造商零件编号:
IRL40B212
品牌:
Infineon
库存编号:
896-7342
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50PBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
制造商零件编号:
IRFPC50PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9838
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF5803PBF, 3.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
制造商零件编号:
IRF5803PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3735
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
制造商零件编号:
STW12NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0617
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5203TRPBF, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
制造商零件编号:
IRLML5203TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0325
搜索
IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1F180N25T, 132 A, Vds=250 V, 24引脚 SMPD封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
制造商零件编号:
MMIX1F180N25T
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2481
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5203TRPBF, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
制造商零件编号:
IRLML5203TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4705
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40S212, 254 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
制造商零件编号:
IRL40S212
品牌:
Infineon
库存编号:
896-7346
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5203GTRPBF, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 88 ns,
制造商零件编号:
IRLML5203GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5160
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