产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4768PBF, 93 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IRFP4768PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7020
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK40E10N1,S1X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
TK40E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5144
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40E10N1,S1X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
TK40E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2388
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7762PBF, 85 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IRFSL7762PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5101
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IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTA4N65X2, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IXTA4N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1489
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
PSMN6R5-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8128
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLHM620TR2PBF, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IRLHM620TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
760-4410
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK40A10N1,S4X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
TK40A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5141
搜索
Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R380E6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IPP65R380E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7605
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R380E6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IPA65R380E6
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2906
搜索
IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTY4N65X2, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IXTY4N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1473
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFB38N100Q2, 38 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS264封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IXFB38N100Q2
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5336
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLHM620TRPBF, 26 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IRLHM620TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7243
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC602P, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
FDC602P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9030
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Panasonic P沟道 MOSFET 晶体管 FL6L52010L, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 WSSMini6-F1封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
FL6L52010L
品牌:
Panasonic
库存编号:
760-2940
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN1150UFB-7B, 1.4 A, Vds=12 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
DMN1150UFB-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4583
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
PSMN6R5-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3019
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40E10N1,S1X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
TK40E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6220
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40A10N1,S4X(S, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
TK40A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6227
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8840NZ, 18.6 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
FDS8840NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8717
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7762PBF, 85 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IRFS7762PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4212
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7762PBF, 85 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IRFS7762PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3369
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IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP4N65X2, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型关断延迟时间 57 ns,
制造商零件编号:
IXTP4N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1485
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