产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC010NE2LS, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC010NE2LS
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4270
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC011N03LS, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC011N03LS
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4280
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC600N25NS3 G, 25 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC600N25NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4303
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042NE7NS3 G, 100 A, Vds=75 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC042NE7NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4334
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC159N10LSF G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC159N10LSFG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4340
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N10NSF G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC100N10NSFG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4375
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC900N20NS3 G, 15.2 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC900N20NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4400
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC082N10LS G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC082N10LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4312
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC196N10NS G, 45 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC196N10NSG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4371
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSC010N04LS, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC010N04LS
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4381
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC109N10NS3 G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC109N10NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4416
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06NS, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC028N06NS
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4296
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N10NS3 G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC046N10NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4321
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC047N08NS3 G, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC047N08NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4347
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC067N06LS3 G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC067N06LS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9358
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si P沟道 MOSFET BSC060P03NS3E G, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC060P03NS3E G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9409
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050NE2LS, 58 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC050NE2LS
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5340
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC014NE2LSI, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC014NE2LSI
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4299
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC030P03NS3 G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC030P03NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4309
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC070N10NS3 G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC070N10NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4359
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC011N03LSI, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC011N03LSI
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4362
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC130P03LS G, 22.5 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC130P03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4397
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC360N15NS3 G, 33 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC360N15NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4410
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC16DN25NS3 G, 10.9 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC16DN25NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4454
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