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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：尺寸 38.2 x 25.07 x 9.6mm,
• 制造商零件编号：
  IXFN140N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-739
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：尺寸 38.2 x 25.07 x 9.6mm,
• 制造商零件编号：
  IXFN140N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0748
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN80N50P, 66 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：尺寸 38.2 x 25.07 x 9.6mm,
• 制造商零件编号：
  IXFN80N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-029
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN82N60P, 72 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：尺寸 38.2 x 25.07 x 9.6mm,
• 制造商零件编号：
  IXFN82N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-130
  
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• IXYS MCO100-16IO1 SCR 晶闸管模块, 99A, Vrev=1600V 10mA, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：尺寸 38.2 x 25.07 x 9.6mm,
• 制造商零件编号：
  MCO100-16IO1
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  198-267
  
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• IXYS MCO50-16IO1 SCR 晶闸管模块, 54A, Vrev=1600V 3mA, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：尺寸 38.2 x 25.07 x 9.6mm,
• 制造商零件编号：
  MCO50-16IO1
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  198-251
  
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• IXYS IXDN55N120D1 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：尺寸 38.2 x 25.07 x 9.6mm,
• 制造商零件编号：
  IXDN55N120D1
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7616
  
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• IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTN22N100L, 22 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：尺寸 38.2 x 25.07 x 9.6mm,
• 制造商零件编号：
  IXTN22N100L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7865
  
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• IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTN46N50L, 46 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：尺寸 38.2 x 25.07 x 9.6mm,
• 制造商零件编号：
  IXTN46N50L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7868
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN80N50P, 66 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：尺寸 38.2 x 25.07 x 9.6mm,
• 制造商零件编号：
  IXFN80N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0745
  
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