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• NXP 双 Si N沟道 MOSFET PHKD6N02LT,518, 10.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Nexperia,规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PHKD6N02LT,518
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  509-510
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMF370XN,115, 870 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Nexperia,规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PMF370XN,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8382
  
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• Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD290XN,115, 860 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Nexperia,规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PMGD290XN,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8394
  
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• Nexperia P沟道 Si MOSFET PMZB670UPE, 680 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Nexperia,规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PMZB670UPE
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2817
  
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• Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD370XN, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-88封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Nexperia,规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PMGD370XN
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-6896
  
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• Nexperia Si P沟道 MOSFET NX2301P, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Nexperia,规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  NX2301P
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  780-5376
  
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• NXP 双 Si N沟道 MOSFET PMDT290UNE, 800mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-666封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Nexperia,规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PMDT290UNE
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2748
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMZB290UNE, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Nexperia,规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PMZB290UNE
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2814
  
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• Nexperia 双 Si N/P沟道 MOSFET PMDT290UCE, 550 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-666封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Nexperia,规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PMDT290UCE
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-6814
  
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