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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7607TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  IRF7607TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-776
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7455PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  IRF7455PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1336
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  IRF7331PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2058
  
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• Infineon N沟道 MOSFET IRF8010LPBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  IRF8010LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4132
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN308P, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  FDN308P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0419
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6892A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  FDS6892A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0637
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDY3000NZ, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  FDY3000NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0841
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDY300NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  FDY300NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0845
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3317
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI9933CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3395
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET BSS138K, 220 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  BSS138K
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4401
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8010PBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  IRF8010PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0290
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1308EDL-T1-GE3, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  Si1308EDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9121
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5443T1G, 4.9 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  NTHS5443T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1055
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG328P, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  FDG328P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3399
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI1469DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3081
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIA449DJ-T1-GE3, 10.4 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SIA449DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1213
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIB452DK-T1-GE3, 670 mA, Vds=190 V, 6引脚 SC-75封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SIB452DK-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1253
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI5513CDC-T1-GE3, 3 A，3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI5513CDC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1330
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI6968BEDQ-T1-GE3, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI6968BEDQ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1374
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI8487DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1429
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS223PWH6327XTSA1, 310 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  BSS223PWH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9991
  
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• Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BG3130H6327, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  BG3130H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8472
  
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• Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BG3130RH6327, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  BG3130RH6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8475
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDME430NT, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  FDME430NT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8256
  
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