产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052NE7N3GHKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IPP052NE7N3GHKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6845
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
PSMN6R5-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8128
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80BS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
PSMN8R7-80BS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3038
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB020NE7N3G, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IPB020NE7N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9213
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB049NE7N3 G, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IPB049NE7N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7447
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN069-100YS, 17 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
PSMN069-100YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2892
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP034NE7N3GHKSA1, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IPP034NE7N3GHKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6833
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP062NE7N3GHKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IPP062NE7N3GHKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6849
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80BS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
PSMN8R7-80BS
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8130
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQNL2N50BTA, 350 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-92L封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
FQNL2N50BTA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1040
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
PSMN6R5-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3019
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80PS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
PSMN8R7-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3047
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