产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Texas Instruments SN75468D NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=100 V, 16引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
SN75468D
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
517-0766
搜索
Texas Instruments ULN2803ADW NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 18引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
ULN2803ADW
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
646-6311
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Texas Instruments ULN2003AINE4 NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 PDIP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
ULN2003AINE4
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
732-0887
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Texas Instruments ULN2803AN NPN 达林顿晶体管阵列, 0.5 A, Vce=50 V, 18引脚 PDIP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
ULN2803AN
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
646-6305
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18537NQ5AT, 54 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON-FET封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD18537NQ5AT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9247
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16301Q2, 5 A, Vds=25 V, 6引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD16301Q2
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4672
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD16323Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4707
查看其他仓库
Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16401Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD16401Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4741
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17306Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD17306Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4824
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17553Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD17553Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4861
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18504Q5A, 75 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD18504Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4883
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18531Q5A, 134 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD18531Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4886
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Texas Instruments 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD87331Q3D, 45 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD87331Q3D
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4940
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Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD22204WT, 5 A, Vds=8 V, 9引脚 DSBGA封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD22204WT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9908
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13306WT, 3.5 A, Vds=12 V, 6引脚 DSBGA封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD13306WT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9927
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Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17484F4T, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD17484F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9936
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17579Q3AT, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD17579Q3AT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
908-3849
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16406Q3, 79 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD16406Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
914-2939
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18563Q5AT, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD18563Q5AT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
921-2987
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Texas Instruments FemtoFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13381F4T, 2.1 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD13381F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9231
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Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17483F4T, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD17483F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9243
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531Q5AT, 110 A, Vds=100 V, 8引脚 VSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD19531Q5AT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9259
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Texas Instruments FemtoFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD25481F4T, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 PICOSTAR封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD25481F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9262
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16327Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD16327Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4729
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16340Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
CSD16340Q3
品牌:
Texas Instruments
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