产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP Si N沟道 MOSFET BSP100, 3.2 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSP100
品牌:
NXP
库存编号:
261-606
查看其他仓库
NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSS123
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8117
搜索
NXP Si P沟道 MOSFET BSP250, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSP250
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8317
搜索
NXP Si P沟道 MOSFET BSP225,115, 225 mA, Vds=250 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSP225,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
177-7183
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NXP 双 Si N/P沟道 MOSFET PHC21025, 2.3 A,3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
PHC21025
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-5380
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Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS192,115, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSS192,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8313
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS123LT1G, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSS123LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-2944
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Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS87,115, 400 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSS87,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8316
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NXP Si P沟道 MOSFET BSP230,135, 210 mA, Vds=300 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSP230,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8372
搜索
NXP Si P沟道 MOSFET BSP220,115, 225 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSP220,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8379
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NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSS123
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0885
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN3190LDW-7, 1.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
DMN3190LDW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0480
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN3190LDW-13, 1.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
DMN3190LDW-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3199
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STN3NF06L, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
STN3NF06L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8786
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NXP Si N沟道 MOSFET BSP030,115, 10 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSP030,115
品牌:
NXP
库存编号:
508-810
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Nexperia Si P沟道 MOSFET BSP250, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSP250
品牌:
Nexperia
库存编号:
216-9268
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STN3NF06L, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
STN3NF06L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7399
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS123LT1G, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
BSS123LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
545-0135
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NXP 双 Si N沟道 MOSFET PHN210T,118, 3.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.8V,
制造商零件编号:
PHN210T,118
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8376
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