产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4424GTA, 500 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
ZVN4424GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7442
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZVN4525GTA, 310 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
ZVN4525GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5269
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
BSS87
品牌:
Nexperia
库存编号:
752-8249
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS169, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
BSS169
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2844
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4525ZTA, 240 mA, Vds=250 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
ZVN4525ZTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1839
查看其他仓库
DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET DMC4040SSD-13, 5.7 A,7.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
DMC4040SSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3208
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
BSS123NH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0011
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP372N H6327, 1.8 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
BSP372N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7754
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZVN4424A, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 E-Line封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
ZVN4424A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
157-4619
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002N, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
SN7002N
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3134
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DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET DMC4050SSD-13, 4.2 A,5.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
DMC4050SSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3201
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17307Q5A, 73 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
CSD17307Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4833
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17308Q3, 47 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
CSD17308Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4836
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP4025LSD-13, 5.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
DMP4025LSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8597
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Nexperia SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP89, 350 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
BSP89
品牌:
Nexperia
库存编号:
445-2281
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17505Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
CSD17505Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
730-0543
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17506Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
CSD17506Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
742-2842
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMG1026UV-7, 440 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
DMG1026UV-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2514
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP296NH6327XTSA1, 1.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
BSP296NH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9260
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002WH6327XTSA1, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
SN7002WH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9998
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS131H6327XT, 110 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
BSS131H6327XT
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0070
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17313Q2, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
CSD17313Q2
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4849
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZVN4525E6TA, 230 mA, Vds=250 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
ZVN4525E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5265
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP297H6327XTSA1, 660 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
BSP297H6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9272
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123NH6433XTMA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.8V,
制造商零件编号:
BSS123NH6433XTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9317
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