产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2106GTA, 710 mA, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
ZVN2106GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
274-992
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
2N7002P
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8114
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9328PBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRF9328PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9240
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9321PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRF9321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9246
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9335PBF, 5.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRF9335PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9252
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9333PBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRF9333PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9259
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9332PBF, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRF9332PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7329
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG4466SSS-13, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
DMG4466SSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4105
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP32D4SFB-7B, 500 mA, Vds=30 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
DMP32D4SFB-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4615
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MVGSF1N03LT1G, 2.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
MVGSF1N03LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1954
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MVMBF0201NLT1G, 300 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
MVMBF0201NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1957
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NVMFD5852NLT1G, 44 A, Vds=40 V, 8引脚 DFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
NVMFD5852NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4166
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9333TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRF9333TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3928
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18504Q5A, 75 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
CSD18504Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4883
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N10S3L-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IPB70N10S3L-12
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4495
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IPB35N10S3L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8671
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B212, 254 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRL40B212
品牌:
Infineon
库存编号:
896-7342
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B209, 414 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRL40B209
品牌:
Infineon
库存编号:
896-7349
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9310PBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRF9310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4026
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9317PBF, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRF9317PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4039
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML9303TRPBF, 2.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRLML9303TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4064
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9388TRPBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
IRF9388TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4985
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18563Q5AT, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
CSD18563Q5AT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
921-2987
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN3310FTA, 100 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
ZVN3310FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7639
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN3310FTA, 100 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 2.4V,
制造商零件编号:
ZVN3310FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
155-018
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