产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7607TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRF7607TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-776
搜索
NXP N沟道 Si MOSFET BF904,215, 30 mA, Vds=7 V, 4引脚 SOT封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BF904,215
品牌:
NXP
库存编号:
510-005
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR4101PT1G, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
NTR4101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5071
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRF7331PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2058
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NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF909AWR,115, 40 mA, Vds=7 V, 4引脚 SOT-343R封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BF909AWR,115
品牌:
NXP
库存编号:
626-2440
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7425PBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRF7425PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3943
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2310CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
TSM2310CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6052
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Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSC026N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8154
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTA4151PT1G, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
NTA4151PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0504
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTE4151PT1G, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
NTE4151PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0554
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ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTHD3102CT1G, 4.2 A,5.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
NTHD3102CT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0585
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTK3134NT1G, 990 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-723封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
NTK3134NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0649
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTGS3446T1G, 5.1 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
NTGS3446T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-4221
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ON Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET NTMD6N02R2G, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
NTMD6N02R2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-4525
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS223PWH6327XTSA1, 310 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSS223PWH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9991
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Infineon OptiMOS 系列 N沟道 Si MOSFET BSS214NWH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSS214NWH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0030
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2047UCB4-7, 4.1 A, Vds=20 V, 4引脚 U-WLB1010封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
DMP2047UCB4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3219
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Micrel MIC9405 系列 Si P沟道 MOSFET MIC94053YC6 TR, 2 A, Vds=6 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
MIC94053YC6 TR
品牌:
Micrel
库存编号:
885-5993
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Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS205N H6327, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSS205N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2374
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML6402TRPBF, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRLML6402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-322
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2302CX RFG, 2.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
TSM2302CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
398-423
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTR4501NT1G, 3.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
NTR4501NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9146
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3420U-7, 5.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
DMG3420U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4092
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN2041L-7, 6.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
DMN2041L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4149
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP2066LSD-13, 5.8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
DMP2066LSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4222
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