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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS816NW H6327, 1.4 A, Vds=20 V, 3引脚 PG-SOT-323封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大栅阈值电压 0.75V,
• 制造商零件编号：
  BSS816NW H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7113
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NEH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大栅阈值电压 0.75V,
• 制造商零件编号：
  BSS806NEH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0109
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802N L6327, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大栅阈值电压 0.75V,
• 制造商零件编号：
  BSR802N L6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2251
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 双 N沟道 Si MOSFET BSD840N, 880 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大栅阈值电压 0.75V,
• 制造商零件编号：
  BSD840N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5493
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS806NH6327XT, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大栅阈值电压 0.75V,
• 制造商零件编号：
  BSS806NH6327XT
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0096
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806N, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大栅阈值电压 0.75V,
• 制造商零件编号：
  BSS806N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8260
  
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